氢原子百科 
王守武（1919年3月15日—2014年7月30日），男，江苏苏州人，中国共产党党员，半导体器件物理学家，微电子学家，中国科学院院士。[1][2]
王守武1941年2月从同济大学机电系毕业。[3]1946年获普渡大学硕士学位。[3]1949年2月获美国普渡大学博士学位。[1][3]1956年受聘为清华大学无线电系第一任半导体教研室主任。[5]1960年任中国科学院半导体研究所副所长。[5]1962年11月任中国科学院半导体研究所学术委员会主任委员。[5]1980年当选为中国科学院学部委员（院士）[注1]。1980年2月任109厂厂长职务。[7]1987年起任中国科学院半导体研究所正研究员。[7]2014年7月30日因病逝世，享年95岁。[8]
王守武是中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一。[1]主持研制成功了中国第一只砷化镓半导体激光器；主持研制成功4千位、16千位的DRAM大规模集成电路；组织筹建了中国第一个半导体研究室和全国半导体测试中心。[1][2]出版了《半导体器件研究与发展-第一册》《VDMOS场效应晶体管应用手册》等4部著作。[4]研究成果先后获中国科学院科研成果奖一等奖2项，中国科学院科技进步奖二等奖4项，以及中国科学院发明三等奖、全国科技大会奖、半导体研究所科技成果奖三等奖等奖项各1项。[5]先后获评全国劳动模范[1]、何梁何利基金科学与技术进步奖[9]等荣誉。
早期与学业经历
1919年3月15日，王守武出生于江苏苏州。[3]1923年，4岁的王守武随父来上海，少年时期基本在苏州、上海两地生活读书。[2][3]1925年进入上海铁华小学读二年级。[3]1927年转学上海私立民智中小学；[3]同年起王家开始安装电灯，在家中用灯泡做“实验”，在父亲的指导下了解“电”与“灯”的基本常识，以及保险丝的作用。[3]
1930年，王守武在上海私立民智中小学读小学六年级；[3]同年秋，在民智中小学升入初中一年级。[3]1931年转学入上海侨光中学。[3]1932年进入上海青年中学高中。[3]1934年转学进入苏州省立苏州中学。[3]
1935年，王守武在苏州中学校刊上发表“圆周率π的级数展开”；同年秋，从苏州中学普通高中肄业，进入上海同济大学读预科。[3]1936年回苏州参加中学会考，获得中学毕业文凭；同年进入同济大学工学院机电系学习。[3]1937年升入同济大学机电系二年级。[3]后日本帝国主义全面发动侵华战争；1937年10月，到金华同济大学临时校址报到。[3]1938年被迫随同济大学迁往江西赣州。[3]1939年与同济大学的师生一起先集中到广西龙州，再到凭祥，出镇南关（今友谊关），绕道越南，至1939年春节前到达昆明。[3]
1941年2月，王守武在昆明从同济大学机电系毕业；[3]同年到昆明中央机器厂工作。[3]1942年进入中国工合翻砂实验工厂任工务部主任。[3]1943年年初，辞去工务部主任职务，转回母校同济大学任教。[3]1944年在重庆考取自费留学生，被美国麻省理工学院录取，但因肺病回昆明家中调养，留学被延误。[3]1945年8月，被美国普渡大学录取；同年10月，王守武前往美国，进入普渡大学工程力学系师从斯特姆攻读硕士研究生。[3]1946年获普渡大学硕士学位。[3]后师从詹姆斯攻读博士研究生，1949年2月获美国普渡大学博士学位并留校任教。[1][3]
工作经历
1950年，王守武回到中国；年底，受聘于中国科学院应用物理研究所，同时受聘于华北大学工学院（现北京理工大学），期间为抗美援朝前线的志愿军设计特殊的车灯和路标。[3]1951年为西藏地区设计太阳灶；同年开始氧化亚铜半导体整流器的研究。[3]1952年组织应用物理所电学组开展了半导体整流器的实验研制工作，绕制了烧氧化铜整流器的电炉，并设计配制了利用电子管的温度控制器，并用各种不同大小及纯度的铜片试制氧化铜整流器，同时开始开展硫化铅整流器研究。[3]1955年领导应用物理所电学组制作硫化铅光敏电阻，得到比较稳定而又相当灵敏的光敏电阻。[3]1956年受聘为清华大学无线电系第一任半导体教研室主任，亲自授课，并组织领导了锗单晶材料的制备工作。[5]1957年，设计并指导制作中国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉，并于11月领导应用物理所半导体研究室，成功拉制出中国第一根锗单晶，领导半导体研究室研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术。[5]1959年，领导109厂为研制109乙型计算机的计算技术研究所，提供了12个品种、14.5万余只锗高频合金扩散晶体管，完成该机所需的半导体器件的生产任务，为“两弹一星”任务提供了技术保证。[5]
1960年4月起，担任中国科学院物理研究所半导体研究所筹委会副主任；同年任中国科学院半导体研究所副所长；[5]6月，应用物理所有机半导体研究无果而终，这一年，王守武还加入了中国共产党。[5]1961年提出“用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命”的方法；同年，随中国科学院代表团赴英国进行考察。[5]1962年11月，王守武任中国科学院半导体研究所学术委员会主任委员；组织开展了硅提纯设备和单晶炉的设计、晶体管制造工艺中新技术所用设备的设计。[5]1963年11月，随中国学术代表团赴日本访问。[5]1965年和刘东源开展微波、光谱及基础电子理论的研究。[5]1966年8月，156工程的第一台样机研制成功。[5]1968年12月，在“清理阶级队伍”运动中被隔离审查。1969年3月隔离审查结束。[5]
1973年9月，率中国电子器件考察团赴日本考察。[7]1974年与赵礼庆、金才政共同研制成功单路及三路半导体激光通信机。[7]1975年研究人员在实验中偶然发现了Gunn器件畴雪崩弛豫振荡现象，王守武开始开展这方面研究。[7]1978年10月，受命负责4千位MOS动态随机存储器这一大规模集成电路的研制任务。[7]1979年9月28日，研制成功大规模集成电路4千位MOS动态随机存储器，批量成品率达20%，最高达40%，为当时中国国内最高水平；同年10月起，开始领导16千位MOS动态随机存储器的研制及PNPN负阻激光器的研制工作。[7]
1980年2月，兼任109厂厂长职务，主要从事提高大规模集成电路成品率的工作；同年当选为中国科学院学部委员（院士）[注1]。[7]1983年领导集成电路用清洗机的研制；通过计算机的模拟计算，分析了静止畴的存在与转变条件，计算得到的畴的静止-渡越--静止-畴雪崩过程，并很快被实验所证实。[7]1987年起任中国科学院半导体研究所正研究员。[7]1991年4月，随中国科学院代表团赴苏联进行考察；1992年4月，赴美国进行考察。[8]2000年获何梁何利基金科学与技术进步奖[9]。
人物逝世
2014年7月30日，王守武因癌症医治无效在美国逝世，享年95岁。[8]
主要成果
半导体激光器研制
1954年，王守武了解到新一代电子器件-半导体晶体管已在国外广泛应用，并预见到这一划时代的变革将会引起电子技术的一次新的革命，他组织领导了锗单晶材料制备的研究工作，一面抓锗材料的提纯，一面亲自设计制造了中国第一台制备半导体锗材料的单晶炉，并于1957年底拉制成功了中国第一根锗单晶，后研制成功了锗晶体二极管和锗合金结晶体管。[11]美国于1962年用砷化镓半导体材料制成了第一只激光器，王守武便组织力量展开研究，并于1963年组建了半导体激光器研究室。先后领导并参与了中国第一台半导体激光器的研制，实现了半导体激光器的连续激射，并开展半导体负阻激光器以及激光应用的研究工作，为中国在该领域的技术进步奠定了基础。还亲自指导参与了激光通信机和激光测距仪的研制工作，支援了国防现代化和国民经济建设。[10]
大规模集成电路研制
1978年10月，王守武承担了研制大规模集成电路——4000位MOS随机存储器的工作，顺利在面积不足4×4平方毫米的单元硅片上，制作出由1.1万多个晶体管、电阻、电容等元件构成的电子电路。在团队努力下，大规模集成电路样品的成品率提高到了20%~40%，是当时中国国内大规模集成电路研制中的最高水平。[10]此外，还研制成功了4千位、16千位的DRAM大规模集成电路。[12]
主要论文
王守武共发表学术论文40余篇，以下为部分论文。[13][14]
论文名称作者刊载于发表时间SOI结构中的薄体效应王守武; 夏永伟; 孔令坤; 张冬萱半导体学报1985年4月1日[14]DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量王守武; 赵礼庆; 张存善; 邓生贵半导体学报1982年3月2日[14]Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟王守武; 郑一阳; 郗小林; 张进昌半导体学报1983年5月1日[14]双稳激光器的不稳定性本质研究王守武; 王启明; 林世鸣物理学报1986年8月29日[14]单腔双接触结构激光器双稳特性研究王守武; 王启明; 林世鸣半导体学报1986年3月2日[14]GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中的光开关、光双稳特性王守武; 吴荣汉; 张权生; 洪坚; 李照银半导体学报1986年3月2日[14]Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟王守武; 潘国雄; 王重云半导体学报1980年3月31日[14]微电子技术的发展和我们的对策王守武中国科学院院刊1990年12月31日[14]双异质结半导体激光器在阶跃和正弦电流调制下的行为王守武; 王仲明半导体学报1985年6月30日[14]关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究王守武; 王仲明; 马国荣半导体学报1987年3月2日[14]半导体的电子生伏打效应的理论王守武物理学报1956年1月31日[14]关于p-n合金结中少数载流者的注射理论王守武物理学报1958年1月31日[14]
出版著作
据国家图书馆显示，王守武先后出版了《半导体器件研究与发展-第一册》《VDMOS场效应晶体管应用手册》等4部著作。[4]
出版时间著作名称出版社1988年《半导体器件研究与发展-第一册》科学出版社[4]1990年《VDMOS场效应晶体管应用手册》科学出版社[4]1991年《半导体器件研究与进展-二》科学出版社[4]1995年《半导体器件研究与进展-(三)》科学出版社[4]
社会职务
时间职务1962年半导体研究所学术委员会主任委员[5]1962年中国电子学会半导体与集成技术分会主任委员[5]1972年10月7日半导体研究所党的核心小组成员[5]1978年《中国大百科全书·电子学与计算机》卷编辑委员会委员[7]1980年中国科学院科学仪器及元件考察小组组长[7]1980年109厂厂长[7]1980年《半导体学报》主编[7]1981年8月28日清华大学“1024位MOS静态随机存贮器大规模集成电路”科研成果鉴定会鉴定委员会主任[7]1983年国务院电子振兴领导小组集成电路顾问组组长[7]1984年12月清华大学微电子学研究所兼职教授[7]1985年清华大学精密仪器系兼职教授[7]1985年8月30日中国科学技术促进发展研究中心兼职研究员[7]1986年1月16日中国科学院微电子中心名誉主任[7]1987年清华大学微电子学研究所、精密仪器与机械学系兼职教授[7]1987年长城计算机集团公司科学技术第一届委员会委员[7]1987年10月25日中国电子专用设备工业协会顾问[7]1988年中国电子学会第四届理事会理事[8]1988年《半导体器件研究与进展》主编[8]—中国人民政治协商会议第五届全国委员会委员[15]—中国人民政治协商会议第六届全国委员会委员[16]1988年中国人民政治协商会议第七届全国委员会委员[17]1991年3月6日北方微电子科研基地专家委员会特邀顾问[8]1992年5月中国电子学会第五届理事会理事[8]1993年1月20日《中国当代高级科技人才系列词典》编委会编委[8]1993年2月清华大学精密仪器与机械学系、微电子学研究所兼职教授[8]1996年1月30日北京大学计算机科学技术系兼职教授[8]1996年中国电子学会半导体与集成电路技术专业分会主任委员[8]1996年《硅谷》中文杂志主编[8]1996年中国电子科技大学名誉教授[8]1999年9月1日第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会顾问委员会委员[8]—第三届全国人大代表[13]—第四届全国人大代表[13]
个人荣誉
时间奖项1979年全国劳动模范[1]1980年中国科学院学部委员（院士）[注1][7]1990年10月“回国参加社会主义建设三十年”证书[8]1991年国务院政府特殊津贴[8]2000年何梁何利基金科学与技术进步奖[9]2008年5月10日中国科学院研究生院“杰出贡献老师”证书[8]
科研获奖
王守武的研究成果先后获中国科学院科研成果奖一等奖2项，中国科学院科技进步奖二等奖4项，以及中国科学院发明三等奖、全国科技大会奖、半导体研究所科技成果奖三等奖等奖项各1项。[5]
时间奖励名称获奖项目1963年中国科学院发明三等奖用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命[5]1978年全国科技大会奖室温同质结脉冲GaAs 激光器、大气光通信与半导体激光器[7]1979年12月中国科学院科研成果奖一等奖[1]N沟MOS4千位动态随机存储器提高管芯成品率的研究[7]1979年半导体研究所科技成果奖三等奖Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟[7]1980年中国科学院科研成果奖一等奖16千位RAM样品22个[7]1985年中国科学院科技进步奖二等奖半导体双稳态激光器的研究[18]1986年中国科学院“六五”科技攻关重大成果奖集成电路大生产试验[7]1987年国家科学技术进步奖二等奖世界新技术革命和中国的对策[7]1987年中国科学院科技进步奖二等奖共腔双区（CCTS）DH双稳激光器研究[19]1987年中国科学院科技进步奖三等奖GaAs/GaAlAs负阻激光器电学、光学特性综合研究[20]1989年中国科学院科技进步奖二等奖3微米LSI（大规模集成电路）中试线的建设[8]1990年中国科学院科技进步奖二等奖集成电路中试生产线[8]2001年北京市科学技术进步奖一等奖半导体神经网络技术及其应用[21]
人才培养
《王守武传》
《王守武传》由中国科学技术出版社于2015年1月出版，作者是李艳平，康静，尹晓冬，该传记通过访谈、实物采集、录音录像等方法，全面真实地反映了王守武学术成长历程的关键事件、重要节点、师承关系等内容。[3]
王守武院士100周年诞辰纪念会系列活动
王守武院士100周年诞辰纪念会系列活动由中国科学院大学微电子学院于2019年3月27日举办。[24]
人物评价
长春中国光学科学技术馆表示：“王守武院士把发展中国半导体科学事业视为己任，兢兢业业为之奋斗了一生。他为人忠厚，待人谦和。他远见卓识，以国家的需要为出发点，开拓新领域，取得新成果。他的为人和他的科学成果一样，赢得了人们的爱戴和敬重，值得我们去敬仰。”[2]
何梁何利基金表示：“王守武为人忠厚、谦和，作风民主，他一贯勤奋好学，治学严谨，一丝不苟，且富于创新精神。”[9]
全景科学家表示：“王守武在几十年的科研生涯中，以爱国求实、勇于创新、甘为人梯的实际行动，生动诠释了科学家精神，为后辈科技工作者树立了光辉榜样。”[10]
海南大学材料科学与工程学院表示：“王老先生（王守武）一生忠厚为人，治学严谨。”[11]
家族成员
参考资料 26
- 王守武:中国半导体科学技术的开拓者与奠基人 — 北京市总工会
- 中国半导体研究的拓荒者——王守武 — 长春中国光学科学技术馆
- 参考 3
- 王守武 — 国家图书馆
- 参考 5
- 学部概况 — 中国科学院学部
- 参考 7
- 参考 8
- 何梁何利基金 — 何梁何利
- “努力救国，努力富国，努力强国”｜纪念我国半导体和集成电路事业奠基人王守武院士 — 全景科学家
- 【时代楷模】中国半导体科学的奠基人--王守武院士 — 海南大学材料科学与工程学院
- 六十余年科研生涯，他带领团队研制出一系列中国半导体的“第一”｜时光信函 — 北京科学中心
- 王守武院士 — 同济大学校史馆
- 王守武 — 中国知网
- 中国人民政治协商会议第五届全国委员会委员名单 — 中国机构编制网
- 中国人民政治协商会议第六届全国委员会委员名单(2036名) — 中国机构编制网
- 中国人民政治协商会议第七届全国委员会委员名单(二千零八十一人) — 中国机构编制网
- 《二十世纪中国知名科学家学术成就概览》物理卷—王守武 — 半导体研究所
- 共腔双区（CCTS）DH双稳激光器研究 — 中国科学院
- GaAs/GaAlAs负阻激光器电学、光学特性综合研究 — 中国科学院
- 2001年 — 中国科学家博物馆
- 从小被叫作“笨孩子”，他创造了中国半导体事业的多个“第一” — 全景科学家
- 大冶一中知名校友中国科学院博士生导师余金中来校讲学 — 大冶一中
- 科学雅士 敢为人先——纪念王守武院士诞辰100周年 — 中国科学院大学
- 王守武院士:自小立志报祖国，执着创“芯”六十载 — 中国科学家博物馆
- 半导体电子学家王守觉年表—1 — 中国科学家博物馆
注释
- 1993年10月，经国务院批准，中国科学院学部委员改称中国科学院院士。[6]