郑厚植

郑厚植，物理学专家。1942年出生于江苏省。1965年毕业于清华大学无线电电子学系。中国科学院半导体研究所研究员，半导体超晶格国家重点实验室学术委员会主任，国家“973”计划IT前沿中的量子结构、量子器件及其集成技术项目首席科学家。曾任中国科学院半导体研究所所长。在半导体低维物理的系统研究中取得多项重要成果。揭示了量子霍耳效应的尺寸效应、量子霍耳电势分布特性，提出和研究了用分裂栅实现准一维电子气的办法和特性。在空穴多体作用诱导的磁阻现象、各类共振隧穿现象、量子霍耳区的磁阻现象及扩散系数、朗道态密度测量和低维激子光谱等方面作出许多有价值的成果。获中国科学院自然科学奖一等奖等。1995年，郑厚植当选为中国科学院院士。^[1]现为北京邮电大学理学院院长。

北京邮电大学双聘院士、理学院院长，物理学家。江苏常州人。1965年毕业于清华大学无线电电子学系。在半导体低维物理的系统研究中取得多项先驱性成果。

最早报道了量子霍耳效应的尺寸效应，产生了显著影响并推进了国际上霍耳量子效应研究的深入发展。与英国Thornton同时独立地最早提出分裂栅控技术并用此技术实现了具有高迁移率一维异质结量子线，被广泛用来制成量子线、点等低维结构，被认为是国际低维半导体结构物理的重要的先驱性工作。在空穴多体作用诱导的磁阻现象，各类共振隧穿现象，量子霍耳区的磁阻现象，量子霍耳区的扩散系数，朗道态密度测量和低维激子光谱等方面做出了许多有价值的成果。1995年当选为中国科学院院士。

1965年毕业于北京清华大学无线电电子学系半导体物理专业。

1965年10在中国科学院半导体研究所任研究实习员，助理研究员。

1978年12月任副研究员。

1979年2月至1981年9月作为Alexander Von Humboldt基金会奖学金获得者在西德慕尼黑技术大学物理系从事研究工作。

1981年10月至1983年10月在中国科学院半导体研究所担任“六五”中国科学院重点课题“二维电子气物理”课题组组长。

1983年11月至1986年4月参与中国科学院和美国物理学会关于原子、分子和凝聚态物理合作研究备忘录计划,在美国Princeton大学电机工程系从事研究工作。

1986年以后在中国科学院半导体研究所任研究员（1986年），博士生导师（1990年）。

1988年至1989年被聘为中国高等科学技术中心(CCAST)特别成员。

1992年被授予国家有突出贡献的中青年科学家称号。

1989年至1995年任半导体超晶格国家重点实验室主任。

1995年当选中国科学院院士（数理学部）。^[2]

1995年至2002年任中国科学院半导体研究所所长。

2008年10月，担任北京邮电大学理学院院长。^[3]

其在半导体低维量子结构领域内作出了系统而重要的成果。最早报道了量子霍耳效应的尺寸效应；与英国学者同时独立地在国际上最早提出了分裂栅控技术，并用它实现了具有高迁移率的一维异质结量子线；首次报道了局域化由二维至一维的维度变换行为；首次从实验上证实了相位损失时间与电导的重要理论关系；提出了空穴反常磁阻效应新理论；报道了二维至二维共振隧穿模式的特异性；发展了测量量子霍耳区电子扩散系数、量子阱中电子隧穿逃逸时间和利用双势垒结构磁电容谱测量朗道态密度的新原理、新方法；研制了可调谐量子点微腔探测器、光存储探测器等新器件。曾获1994、1995年度中国科学院自然科学一等奖、二等奖

1、低维量子结构物理和纳米量子器件

2、半导体自旋电子学和自旋量子器件

3、半导体中的量子相干过程、波函数工程和量子相干器件

1.国家攀登计划重大项目“半导体超晶格物理及材料、器件探索”（1991－1995）首席专家。

2.国家攀登计划重大项目“半导体超晶格、低维量子结构物理、材料和器件探索”（1996－2000）首席专家。

3.国家自然科学基金重点项目“半导体/非半导体低维结构物理及其应用”（1998－2001）首席专家。

4.中科院重要方向项目“量子结构、量子器件的基础研究”（2001.10－2006.10）首席专家。

5.“973”项目“IT前沿中的固态量子结构、量子器件及其集成技术”（2002－2006）首席专家

1. H.Z.Zheng,K.K.Choi and D.C.Tsui, “Observation of size effect in the quantum Hall regime”

2. H.Z.Zheng, H.P.Wei and D.C.Tsui, “Gate-controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures”

3. H.Z.Zheng, H.P.Zhou, “Influences of particle-hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two-dimensional hole systems”

4. H.Z.Zheng, F.H.Yang and Z.G.Chen, “Nonresonant magneto-tunneling in asymmetric GaAs/AlAs double barrier structures”

5. H.Z.Zheng, A.M.Song, F.H.Yang and Y.X.Li, “Density of states of Two-Dimensional Electron Gas Studied by Magnetocapacitance of Biased Double Barrier Structures”

6. H.Z.Zheng, H.F.Li, Y.M.Zhang, Y.X.Li, X.P.Yang, P.H.Zhang, Wei Zhang, J.F.Tan, “Experimental study of tunneling escape through double barrier resonant tunneling structures”

7. K.J.Luo, H.Z.Zheng, Z.D.Lu,J.Z.Xu, Z.Y.Xu, T.Zhang, C.F.Li, X.P.Yang, J.F.Tian, “Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells”

8. J.Q.You, H.Z.Zheng and W.L.Wang, “Magnetoexciton Polaritons in Planar Semiconductor Microcavities”

9. Yan Tang, Houzhi Zheng, Fuhua Yang, Ping heng Tan, Chengfang Li and Yuexia Li, “Electrical Manifestation of Quantum-Confined Stark Effect by Quantum Capacitance Response in an Optically Excited Quantum Well”

10. Lixiang Cen, Xinqi Li, Yijing Yan, Houzhi Zheng, Shunjin Wang, “Evaluation of holonomic quantum computation:Adiabatic versus nonadiabatic”

时间担任职务1988年至1989年中国高等科学技术中心特别成员^[2]/国家纳米科学技术中心顾问委员会成员^[2]/科技部“量子调控”研究重大科学研究计划专家组成员^[2]/清华信息科学与技术国家实验室（筹）理事会成员^[2]/中国科学院凝聚态物理国家实验室（筹）理事会成员^[2]/中国物理学会理事^[2]/中国电子学会理事^[2]/半导体物理专业委员会主任^[2]/英国物理学院高级成员^[2]/《半导体科技（Semiconductor Science and Technology）》国际编委^[2]/《微电子杂志（Microelectronics Journal）》国际编委^[2]/《中国科学》物理学编委会等的执行副主编、编委^[2]

1994年中国科学院自然科学一等奖、二等奖。^[4]

1994年、2004年，郑厚植两度获科技部颁发的金牛奖。^[2]

2007年获得何梁何利科学与技术进步奖物理学奖。^[5]

郑厚植在1024位动态RAM芯片的动态逻辑电路、版图总体设计和逻辑功能检测等方面做了一系列先驱性工作，推动了中国国内DRAM研制的起步。^[2]（何梁何利基金会评）

郑厚植在半导体低维物理的系统研究中取得多项重要成果。在朗道态密度测量和低维激子光谱等方面作出许多有价值的成果 。^[6]（北京邮电大学评）