余学功

余学功，男，1978年2月出生，浙江大学材料科学与工程学系副研究员，同时担任浙江大学硅材料国家重点实验室教授。他在硅太阳电池材料研究领域有着深入的研究，并在2020年8月11日入选国家杰出青年科学基金建议资助项目申请人名单。余学功在《Small》《 Applied 》《Physics 》《Letter》等杂志已发表科学论文65篇，拥有2项欧洲发明专利，申请了近20项中国专利。他参与的研究成果“微量掺锗直拉硅单晶技术及其应用”获得了国家技术发明奖二等奖。

1995年9月至1999年6月，余学功在浙江大学材料系攻读本科。

1999年9月至2004年6月，他在浙江大学材料物理与化学专业攻读博士学位。博士学习期间，于2002年10月至2003年9月在日本信州大学教育学部从事无缩颈技术生长大直径直拉单晶硅的研究。

2004年10月至2007年9月，余学功在德国勃兰登堡工业大学从事键合硅的研究。

2007年10月至2009年2月，他在美国北卡州立大学担任助理研究员，从事多晶硅的研究。

2009年2月至今，余学功在浙江大学硅材料国家重点实验室担任副研究员，从事硅太阳电池的研究。

2016年12月至今，余学功在浙江大学材料科学与工程学院和硅材料国家重点实验室担任教授。

余学功的研究领域包括低成本、高效率硅太阳能电池的研制及其材料科学研究，以及半导体晶体（硅、石墨烯、钙钛矿）材料及器件。

1. 2004年浙江省科学技术一等奖（排名第四）。

2. 2005年国家自然科学二等奖（排名第四）。

3. 2005年第11届半导体缺陷、成像和物理国际会议最佳论文奖。

4. 2006年全国百篇优秀博士论文提名奖。

5. 2020年8月11日，入选2020年度国家杰出青年科学基金建议资助项目申请人名单。

6. 国家技术发明奖二等奖——微量掺锗直拉硅单晶技术及其应用（主要完成人之一）。