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马佐平，1945年11月生于甘肃省兰州市，微纳电子科学家，美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士、台湾“中央研究院”院士，耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授。
马佐平于1968年从台湾大学电机系毕业后赴美国留学；1974年从美国耶鲁大学博士毕业后，进入国际商业机器公司（IBM）系统产品部工作；1977年进入耶鲁大学电机系工作，先后担任副教授、教授；1991年至1995年担任耶鲁大学电机系主任；1999年至2016年担任耶鲁大学电机系微电子中心共同主任；2002年担任耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授；2003年当选为美国国家工程院院士；2005年至2014年担任北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任；2008年当选为中国科学院外籍院士；2012年当选为第29届台湾“中央研究院”院士。
马佐平的研究领域集中在半导体、积体电路和前缘记忆储存科技，以及电晶体材料及器件物理方面。
人物经历
1945年11月，马佐平出生于中国甘肃省兰州市，原籍浙江省东阳市。
1949年，四岁时随父母到了台湾。
1968年，从台湾大学电机系毕业，此后赴美国留学。
1971年，从美国耶鲁大学毕业，获得硕士学位。
1974年，从美国耶鲁大学毕业，获得博士学位。
1974年—1975年，担任国际商业机器公司（IBM）系统产品部高级副工程师。
1975年—1977年，担任IBM系统产品部正工程师。
1977年—1985年，担任耶鲁大学电机系及应用物理系副教授。
1983年，担任美国加州大学柏克莱分校访问员。
1985年，晋升为教授。
1988年—1991年，担任耶鲁大学电机系代理系主任。
1991年—1995年，担任耶鲁大学电机系主任。
1999年—2016年，担任耶鲁大学电机系微电子中心共同主任。
2000年—2007年，担任耶鲁大学电机系主任。
2002年7月，担任耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授。
2003年，当选为美国国家工程院院士。
2005年—2014年，担任北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任。
2005年，马佐平受聘为福建省信息产业专家委员会委员，福建省政府顾问，苏州工业园区微电子业首席顾问。[1]
2008年，当选为中国科学院外籍院士。
2012年，当选为第29届台湾“中央研究院”院士。
科研成就
科研综述
马佐平于1970年始在做超薄（～4纳米）栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响，发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联，而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果，推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象，并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅（Si3N4）做MOS栅介质以取代二氧化硅（SiO2）的概念并首先用实验证明其可行性，推动了引入用更高介电常数的栅介质的理念，进而推展未来的MOS科技。Intel、IBM等公司宣布量产High-k Gate Dielectrics的芯片，正式实践了马佐平的早期理念。他的研究小组创先使用“非弹性电子隧道谱”（IETS）的方法来探测超薄高介电常数的介质内的微结构、微缺陷及杂质。
人才培养
指导学生
根据2021年4月中国科学院网站显示，马佐平在耶鲁大学培养了大批华裔微电子科技专家，其中40多位中国学生在他指导下获得博士学位。
合作交流
根据2021年4月中国科学院网站显示，马佐平从1993年以来，几乎每年都回国，多次到中国空间技术研究院、中国科学院、清华大学、北京大学、山东大学、天津大学、复旦大学、上海交通大学、厦门大学等科研机构和大学讲学。
1994年至2000年间，马佐平研究小组与中国科学院新疆物理所的辐射效应小组密切合作，促使中国科学院新疆物理所成为中国的半导体器件的辐射效应中心之一。2002年到2005年，与清华大学共同研发制造先进的闪存器件。2005年，马佐平与北大微电子学研究院王阳元共同成立了北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心，合作研讨微电子及纳米电子领域的最先进的科学课题。
教育成果奖励
马佐平两次得BFGoodrich之全美国大学生发明人指导教授奖（1993年，1998年） 。
荣誉表彰
时间荣誉表彰授予单位1991美国洋基创新奖（Yankee Ingenuity Award）-1994电气与电子工程师协会会士（IEEE Fellow）电气与电子工程师协会（IEEE）1998Paul Rappaport奖电气与电子工程师协会电子器件社（IEEE Electron Device Society）2003年美国国家工程院院士美国国家工程院2005年安德鲁。葛洛夫大奖（Andrew Grove）电气与电子工程师协会（IEEE）2006年大学研究大奖（首位华人）美国半导体工业协会（Semiconductor Industry Association）2008年美国康乃迪克科技奖牌（Connecticut Medal of Technology）-2008年中国科学院外籍院士中华人民共和国国务院2014年台湾大学杰出校友奖台湾大学2016年台湾交通大学荣誉博士学位台湾交通大学 2018年美国华人科技协会杰出成就奖美国华人科技协会
学术论文
在美国及国际主要学术刊物上发表近200篇学术论文：（以下是代表作）
"Mobility Measurement and Degradation Mechanisms of MOSFETs Made with Ultra-Thin High-k Dielectrics," IEEE Trans. Electron Devices, VED-51(1), 98-105 (2004).
"Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy Study of Ultra-thin HfO2 and HfAlO," Appl. Phys. Lett., 83(13), 2605 (2003).
"High Temperature (450 C) Reliable NMISFETs on P-type 6H-SiC," X. Wang, T.P. Ma, et al., paper 8.7, Technical Digest of International Electron Device Meeting, Washington DC., Dec. 5-8 (1999).
"Making Silicon Nitride Film a Viable Gate Dielectric," T.P. Ma, IEEE Trans. Electron Dev., 45, 680 (1998).
马佐平获世界电子与电机工程学会葛洛夫奖
2005年8月22日
华声报讯：据美国《世界日报》报道，“世界电子与电机工程学会”(IEEE)日前宣布，将把今年度的安德鲁·葛洛夫奖颁发给现任耶鲁大学电机系及微电子中心华裔主任马佐平教授，以表彰他在研发“互补性氧化金属半导体”闸介极科技方面的卓越贡献。
马佐平8月17日对于获得该奖表示相当兴奋，但他也不忘将这份荣耀与共事研究的耶大电机系研究生分享。马佐平指出，他的研究团队共有10位学生，其中除了一名为白人学生外，其它皆为来自大陆或台湾的留学生，他表示这个奖是该团队共同努力的成果。
马佐平从1993年开始研究互补性氧化金属半导体，这个安装在计算机内存内的半导体，主要有三项功能――省电、快速处理和节省成本。他举例说，一般计算机内的半导体，若希望能加快其处理速度，则需要消耗较多的电能，但他的研究成果则让未来类似的半导体在高速运算的情形下使用较少的电能，这项科技还可运用在一般生活中，如手机、收音机等家电上，他指出，未来的手机或许可以更精密且耗电量更少。
具有悠久历史的世界电子与电机工程学会是目前全世界最大的职业科技机构，现有会员约36万人，来自全世界170个国家，包含了航天、计算机科技、生化等各方面人才，葛洛夫奖是特为纪念英特尔公司创办人兼董事长葛洛夫而设立，每年只颁发一名给对计算机科技有卓越贡献的研究者。
研究项目
> Advanced Gate Dielectrics
> Flash Memory Devices
> MIS Devices Based on SiC, GaN, GaP, SiGe, and InAs
> Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy (IETS)
> Ferroelectric Thin Films for Memory Technology
社会任职
时间担任职务1998年中国科学院新疆物理所名誉教授、天津大学名誉教授、台湾交通大学名誉教授、北京清华大学、北京大学名誉客座教授、复旦大学名誉顾问教授2001年—2011年旺宏电子股份有限公司顾问2001年—2014年台湾积体电路制造股份有限公司顾问2003年—2006年台湾工业研究院纳米科技顾问委员会委员-福建省信息产业专家委员会委员-福建省人民政府顾问-苏州工业园区微电子业首席顾问-中华人民共和国信息产业部十五、十一五规划顾问
人物评价
参考资料 1
- 马佐平（Tso - Ping Ma） — 中国科学院学部