蔡树军

蔡树军，1964年11月出生，现为河北半导体研究所副所长，研究员级高工，硕士生导师；香港科技大学电子与计算机工程系兼职助理教授。

1981.9-1985.9 武汉大学物理系半导体专业学习 获学士学位。

1985.9-1988.5 年河北半导体研究所和成都电子科技大学学习 获硕士学位。

1988-1990 河北半导体研究所第2研究室课题组组长、工程师、高级工程师。

1990-1996.6 河北半导体研究所第16研究室副主任，主任。

1996.6-1998.9 美国加州大学洛杉矶分校（UCLA)电子工程系高级访问学者。

1998.9-2002.9 美国加州大学洛杉矶分校（UCLA)博士研究, 获博士学位。

2002.9-2004.9 香港科技大学电子工程系客座助理教授，博士生导师。

2004.9-河北半导体研究所副所长，研究员级高工，硕士生导师；香港科技大学电子与计算机工程系兼职助理教授。

时间社会任职2002年香港科技大学电子工程系客座助理教授、博士生导师（两年后改聘为兼职副教授）^[2]2023年中华国际科学交流基金会杰出工程师专家委员会成员^[3]-国家科技重点研发计划、国家中长期科技发展规划等若干专家组成员^[1]

蔡树军长期致力于半导体器件和电路的研究与开发。他主导了新一代氮化镓半导体核心射频芯片的研发项目，成功领导团队攻克了第三代半导体氮化镓射频器件的关键技术，实现了射频芯片从第二代向第三代跨越。此外，他还突破了砷化镓芯片制造的技术难题，弥补了砷化镓芯片的不足。蔡树军及其团队开发了近千款国际先进水平的产品，并实现了这些产品的大规模生产，为国家多项重大装备的升级提供了支持，确保了我国在高端射频芯片领域的自主可控。^[4][5]

[1] Performance analysis of GaN-based high-electron-mobility transistors with postpassivation plasma treatment. 周幸叶;谭鑫;吕元杰;顾国栋;张志荣;郭艳敏;冯志红;蔡树军.Chinese Physics B,2021(02)[2] 基于GaAs肖特基二极管的220GHz线阵列被动接收前端. 杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;吕元杰;冯志红;蔡树军.半导体技术,2020(10)[3] 第三代半导体IEC国际标准动态综述. 李丽霞;崔波;蔡树军.中国标准化,2020(S1)[4] Ka波段28W GaN功率放大器MMIC. 杜鹏搏;林支慷;徐跃杭;曲韩宾;蔡树军.微波学报,2020(S1)[5] 一种42～46 GHz高效率功率放大器设计. 杜鹏搏;默立冬;苏国东;蔡树军.杭州电子科技大学学报(自然科学版),2020(04)[6] 采用T型栅结构的高性能Ga_2O_3MOSFET. 马灵;吕元杰;刘宏宇;蔡树军;冯志红.半导体技术,2020(06)[7] 基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长. 卜爱民;房玉龙;李佳;芦伟立;赵丽霞;杨龙;尹甲运;刘沛;冯志红;陈秉克;蔡树军.半导体技术,2018(03)[8] 基于AlN和GaN形核层的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件对比. 高楠;房玉龙;尹甲运;刘沛;王波;张志荣;郭艳敏;顾国栋;王元刚;冯志红;蔡树军.半导体技术,2017(12)[9] 蓝宝石衬底上PECVD生长石墨烯及其气敏传感器. 蔚翠;何泽召;刘庆彬;李娴;谢丹;蔡树军;冯志红.化工学报,2017(11)[10] 基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）. 尹甲运;吕元杰;宋旭波;谭鑫;张志荣;房玉龙;冯志红;蔡树军.红外与毫米波学报,2017(01)^[6]

2021年10月12日，入选拟表彰第六届全国杰出专业技术人才名单。^[7]

2023年2月，获得第五届杰出工程师奖。^[8]

2023年，荣获第三届全国创新争先奖章。^[9]

2023年8月31日，中国工程院2023年院士增选有效候选人名单公布，蔡树军在列。^[10]

2023年12月4日，蔡树军入选国家卓越工程师拟表彰对象。^[11]

2024年1月19日，蔡树军正式当选为国家卓越工程师。^[3]