氢原子百科 
胡正明，1947年7月出生于中国北京。[1]美籍华人。微电子学家。[2]美国工程科学院院士、[1]中国科学院外籍院士。[7]曾任美国加州大学伯克利分校教授。[5]
1973年，胡正明受聘于美国麻省理工学院电机及计算机系任教授，1976年回到母校美国加州大学伯克利分校任教授。[5]之后，胡正明分别于1989年和1991年任旧金山东湾中文学校董事长和清华大学（北京）微电子学研究所荣誉教授。[1][5]1999年，胡正明开发了鳍式场效应晶体管（FinFET），被称为“3D晶体管之父”。[3]2001年，胡正明任台湾积体电路制造股份有限公司首席技术官，[3]并于三年后，重返美国加州大学伯克利分校任首席教授，同年被台湾“中央研究院”选为第二十五届数理组院士，成为半导体领域的第一位院士。[5]2013年10月29日，胡正明被北京大学微纳电子学研究院评为国际顾问委员会主任。[2]胡正明主要从事微电子微型化物理及可靠性物理研究。[1]截至2020年3月，胡正明出版学术专著五本，发表900余篇研究论文，拥有100多项美国专利。[3]
胡正明曾于1998年获得美国科学学会Monie Ferst Award奖，次年获得潘文渊基金会杰出研究奖。[5]2015年获得美国国家技术和创新奖，[6]2020年获得IEEE荣誉奖章。[3]
早期经历
胡正明，1947年7月出生于中国北京的一个教师家庭。[1][4]祖籍江苏省金坛市城西马干村。[4]他于1968年获得国立台湾大学电机工程学士学位，又分别于1970年和1973年获得美国加州大学伯克利分校电机及计算机硕士学位和博士学位。[8]
工作经历
1973年，胡正明受聘于美国麻省理工学院电机及计算机系任教授，1976年回到母校美国加州大学伯克利分校任教授。[5]
1985年，应严东生院士邀请，胡正明等三位美国科学家提出了发展中国微电子科学技术的战略性的重要咨询建议。[1]之后，他分别于1989年和1991年任旧金山东湾中文学校董事长和清华大学（北京）微电子学研究所荣誉教授。[1][5]
1995年，胡正明任Celestry Design Technologies，Inc创办人兼董事长。[5]两年后，他当选为美国国家工程院院士和国际电机电子工程师学会高级会员（IEEE）。[5]
1999年，胡正明开发了鳍式场效应晶体管（FinFET），也因此胡正明被称为“3D晶体管之父”。其后，美国因特尔率先采用了这一技术。这项发明被看做是50多年来半导体技术的重大转变。[3]
2001年，胡正明任台湾积体电路制造股份有限公司首席技术官。[3]三年后，胡正明重返美国加州大学伯克利分校任首席教授，继续从事科学理论研究。同年被台湾“中央研究院”选为第二十五届数理组院士，成为半导体领域的第一位院士。[5]
2013年10月29日，胡正明被北京大学微纳电子学研究院评为国际顾问委员会主任，其后在北京大学信息技术与信息化名家讲坛上做了一场题为“鳍式场效应晶体管——大学创新引领半导体行业”（ FinFET--A University Innovation Takes over the Semiconductor World）的学术报告。[2]11月10日下午，他应广西师范大学电子工程学院邀请，在育才校区理科综合楼101会议室作了题为“FinFET—a University Innovation Takes Over the Semiconductor World”的学术报告。[7]次年3月，他入选第四册《院士中的常州人》。[4]
2015年12月22日，美国白宫公布了美国最高科技奖项获得者名单，胡正明获得国家技术和创新奖。[6]次年5月19日，胡正明获美国国家科学奖，时任总统奥巴马在白宫亲自颁奖。[9]
2018年5月17日，合肥集成电路科技馆举办开业典礼仪式暨胡正明院士报告会，胡正明在讲座中详细讲述了自己带领团队发明FinFet的经历，并指出了基于FinFet结构更新的半导体工艺结构，以及其发展空间。[10]
2020年，胡正明获IEEE荣誉奖章，以表彰他在半导体模型开发和应用方面做出的杰出贡献，特别是发明了使摩尔定律得以延续数十年的 3D 结构器件（FinFETs）。[3]
社会任职
| 时间 | 职务 |
|---|---|
| 1973年 | 美国麻省理工学院电机及计算机系教授[5] |
| 1976年 | 美国加州大学伯克利分校教授[5] |
| 1989年 | 旧金山东湾中文学校董事长[5] |
| 1995年 | Celestry Design Technologies，Inc创办人兼董事长[5] |
| 2001年 | 台湾积体电路制造股份有限公司首席技术官[3] |
| 2012年10月29日 | 北京大学微纳电子学研究院国际顾问委员会主任[2] |
| — | 美国Sandisk、Inphi、ACM Research、Ambarella 公司董事[8] |
| — | 北京大学客座教授[2] |
| — | 前TSMC技术总裁[10] |
| — | 北京大学计算机科学技术系兼职教授[7] |
| — | 美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授[8] |
| — | 国立阳明交通大学终身教授[8] |
研究方向
胡正明主要从事微电子微型化物理及可靠性物理研究。[1]
主要成就
截至2020年3月，胡正明出版学术专著五本，发表900余篇研究论文，拥有100多项美国专利。[3]
胡正明领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件。胡正明在微电子器件可靠性物理领域，首先提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。胡正明首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。[1][2]
教育理念
科研工作者的创新应以社会需求为指引，提出更好的解决途径，以服务于可用于实际生产生活的产品。青年学生在科研领域要充满信心与热情，要敢于发现并尝试，要勇于探索和追求。[2]
创新人才的培育，更精确地说，应该是培养能够解决问题的人才，所需具备的特质包括：喜欢解决问题、愿意学取新知、愿意努力工作，以及对自己有信心等，这些都是让自己成为“解决问题者”的关键因素。[11]
年轻人最重要的就是要有自信。别人真心称赞时，要欣然接受；别人的赞美似乎不太诚恳时，也要强迫自己相信；当没有别人赞赏时，也要肯定自己。[11]
学术交流
研究生奖学金
1990年，胡正明在北大与清华设置5名研究生奖学金，鼓励中国留学生回中国发展半导体工业。[5]
胡氏奖助金
1997年4月，胡正明第一次随父亲胡素鸿回金坛探亲，[5]并与父亲胡素鸿先生、弟弟胡正大在金坛市第一中学设立胡氏奖助基金，[4]奖励品学兼优、家境较差而有志升大学者。[5]2005年4月，胡正明在参加该校“胡素鸿铜像揭幕仪式”时，又捐资2.5万美元，使“胡氏奖助金”基金达100多万元人民币。[5]2008年8月，胡博士应邀参加北京奥运会开幕式盛典，期间，携夫人和儿子到金坛市第一中学主持第11届胡氏奖助金颁发仪式，并再次捐赠胡氏奖助金1万美金。[4]胡正明表示：“我父亲说得好，吾辈久居海外，心系故土，理当为家乡教育奉献绵薄之力。”[4]截至2018年8月24日，“胡氏奖助金”累计发放22届，共370名品学兼优的学生受助。[12]
人物评价
荣誉奖项
参考资料：[8]
参考资料 13
- 胡正明（Chenming Calvin Hu）----中国科学院学部 — 中国科学院学部
- 北大集成电路学院 — 北京大学
- IEEE Medal of Honor Goes to Transistor Pioneer Chenming Hu The Life Fellow brought transistors into the third dimension — IEEE.ORG
- 江苏常州华人胡正明入选“常州人”系列丛书 — 中国新闻网
- 胡正明——开拓半导体微型元件泰斗 — 中共常州市委党史工作委员会
- 美籍华人科学家获美国最高技术奖章 — 人民政协网
- 美国工程院院士胡正明教授莅临我校做学术报告 — 广西师范大学新闻网
- 胡正明 — Academia Sinica
- 奥巴马颁发美国国家科学奖章 华裔科学家获奖 — 中国新闻网
- 中科大学生代表团参加合肥集成电路科技馆开业典礼暨胡正明院士报告会 — 中国科学技术大学国家示范性微电子学院
- FinFET之父胡正明谈人才培育 — 电子产品世界
- 胡正明博士回乡颁发“胡氏奖助金” — 江苏省侨联
- 美籍华裔教授胡正明:创新不是刻意，解决问题就是 — 新浪网