学习经历
1980---1984, 南昌大学物理系,学士。
1986---1989, 中国科学院金属研究所,硕士。
1994---1997, 南京大学物理系,博士。
1997---1999,山东大学晶体材料研究所,博士后。
工作经历
海外学习经历
2001.1— 2001.3, 美国阿岗国家实验室,访问学者;
2007.5-2007.11, 澳大利亚昆士兰大学,高级研究学者。[2]
主要论文
[1] 原料颗粒度对AlN晶体生长的影响. 俞瑞仙;王国栋;王守志;曹文豪;胡小波;徐现刚;张雷.人工晶体学报,2024(01)[2] 低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备. 熊希希;杨祥龙;陈秀芳;李晓蒙;谢雪健;胡国杰;彭燕;于国建;胡小波;王垚浩;徐现刚.无机材料学报,2023(11)[3] 物理气相传输法SiC衬底上生长AlN单晶的研究进展. 朱亚军;王国栋;俞瑞仙;曹文豪;王守志;胡小波;徐现刚;张雷.硅酸盐学报,2023(06)[4] 单晶金刚石声子非简谐衰减效应研究. 李斌;胡秀飞;杨旖秋;王英楠;谢雪健;彭燕;杨祥龙;王希玮;胡小波;徐现刚;冯志红.人工晶体学报,2023(03)[5] 高温退火对PVT法生长的AlN晶体质量的影响(英文). 俞瑞仙;王国栋;王守志;胡小波;徐现刚;张雷.无机材料学报,2023(03)[6] 碳化硅单晶位错研究进展. 张家鑫;彭燕;陈秀芳;谢雪健;杨祥龙;胡小波;徐现刚.人工晶体学报,2022(11)[7] 高温高压与CVD金刚石单晶衬底质量对比研究. 杨旖秋;韩晓桐;胡秀飞;李斌;彭燕;王希玮;胡小波;徐现刚;王笃福;刘长江;冯志红.人工晶体学报,2022(Z1)[8] 8英寸导电型4H-SiC单晶的生长. 杨祥龙;陈秀芳;谢雪健;彭燕;于国建;胡小波;王垚浩;徐现刚.人工晶体学报,2022(Z1)[9] SiC单晶生长初期表面台阶及微管特性. 仲光磊;胡国杰;王鹤静;谢雪健;杨祥龙;彭燕;陈秀芳;胡小波;徐现刚.硅酸盐学报,2022(08)[10] 砷化镓光导开关的损伤形貌研究. 沙慧茹;肖龙飞;栾崇彪;冯琢云;李阳凡;孙逊;胡小波;徐现刚.强激光与粒子束,2022(09)[3]