满带(filled band),是指在半导体物理学中,允带中的所有能量状态都被电子占据的情况。[1]
满带
在晶体中电子的运动状态与孤立原子的电子状态有所不同。由于电子的共有化运动。原子中每一电子所在能级都分裂为能带。如在原子中一样,晶体中电子的能量状态也遵守能量最小原理和泡利不相容原理。内层能级所分裂的允带总是被电子所占满,然后再占据更高的外面一层允带。被电子占满的允带称为满带。[2]
满带
满带(filled band),是指在半导体物理学中,允带中的所有能量状态都被电子占据的情况。[0]在晶体中电子的运动状态与孤立原子的电子状态有所不同。由于电子的共有化运动。原子中每一电子所在能级都分裂为能带。如在原子中一样,晶体中电子的能量状态也遵守能量最小原理和泡利不相容原理。内层能级所分裂的允带总是被电子所占满,然后再占据更高的外面一层允带。被电子占满的允带称为满带。[1]
满带(filled band),是指在半导体物理学中,允带中的所有能量状态都被电子占据的情况。[1]
在晶体中电子的运动状态与孤立原子的电子状态有所不同。由于电子的共有化运动。原子中每一电子所在能级都分裂为能带。如在原子中一样,晶体中电子的能量状态也遵守能量最小原理和泡利不相容原理。内层能级所分裂的允带总是被电子所占满,然后再占据更高的外面一层允带。被电子占满的允带称为满带。[2]