温殿忠

温殿忠，男，1949年4月23日生，河北抚宁县人。现任黑龙江大学敏感技术研究所所长，教授、博士生导师。他在科研领域取得了显著的成果，共有12项应用科研成果。其中，与黄得星教授合作的2DCM硅磁敏二极管项目在1978年全国科学大会上获奖，他独立完成的硅各向异性腐蚀技术与设备项目在1989年和1990年分别获得了黑龙江省教委的科技进步一等奖和三等奖，并在1992年获得了国家科委颁发的国家级科技成果完成者证书。^[1]他的列车偏载探测项目在1998年获得了铁道部的科技进步三等奖。他拥有2项国家发明专利，并申请了1项国际专利。1992年获国务院颁发的政府特殊津贴，1995年被评为黑龙江省有突出贡献的优秀中青年专家。^[1]

1972-1975黑龙江大学物理学。

1986-1987黑龙江大学助教班。

1992-1993加拿大阿尔伯塔大学研究生院。

1975年7月毕业于黑龙江大学物理系半导体专业并留校任教，1987年在职学完微电子学与固体电子学的硕士研究生课程，1992年9月被正式注册为加拿大阿尔伯塔大学电气工程系特别研究生。

1998年被聘为中国电子学会敏感技术分会委员，1999年被选为中国电子学会敏感技术分会力敏技术专业委员会副主任。

2001年被选为东北MEMS研发联合体执委兼黑龙江委员会主任，2003年当选为中国仪器仪表学会传感器学会常务理事、《传感技术学报》《传感器与微系统》和《黑龙江大学自然科学学报》编委。是微电子学与固体电子学省重点学科的学科带头人。

1. 温殿忠.《力学量敏感元器件及其应用》，黑龙江科技出版社出版。

2. 温殿忠.《磁敏感元器件与磁传感器》，黑龙江科技出版社出版。

3. 温殿忠 等.《传感器原理及其应用》，黑龙江大学出版社。

1. Dianzhong Wen, SensitivityAnalysisofJunctionFieldEffect-PressureHalltron，Review of Scientific Instrument Vol.66,No.1.251-255 .1995.1[SCI]收录。

2. Dianzhong Wen, An IC Chip of Magneto-Sensitivity Silicon Transistors Sensor, Solid-State and Integrated Circuit Technology，ICSICT,2001.10[EI]收录。

3. Dianzhong Wen, Negative-ResistanceCharacteristics Studies in Silicon Double Injection p+πn+ Magnetic-Device, International Society for OpticalEngineering,Vol.4414，301-305，2001.10. [EI]收录。

4. Dianzhong Wen, Theoretical Analysis of The Pressure-Magneto-Electric Effect of JFET, Journal of Electronics,Vol.7,No.2,April 1990. [EI]收录。

5. Dianzhong Wen, Double Injection Type Magneto- transistor Formed on a SOI Substrate，Chinese Journal Electron Devices,No.3,2006. [EI]收录。

6. Dianzhong Wen, Negative-Resistance Characteristics Analysis of Poly-Silicon Resistors Formed on the Flow Sensor, Rare Metal Materials and Engineering,2006. [EI]收录。

7. Dianzhong Wen, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, Rare Metal Materials and Engineering,2006. [EI]收录。

8. Dianzhong Wen, Research on the Oscillator Characteristics of Bridge Protein in Cell Membrane, Review of Advancements in Micro and Nano Technologies,2006. [EI]收录。

9. Dianzhong Wen, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, 稀有金属材料与工程(RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING),2006.12. [SCI]收录。

10.Dianzhong Wen, Negative-Resistance Characteristics Analysis of Poly-Silicon Resistors Formed on the Flow Sensor，稀有金属材料与工程(RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING),2006.12. [SCI]收录。

11.Dianzhong Wen, DESIGN A SYSTEM OF Ar-Ion LASER ENHANCED ANISOTROPIC ETCHING，MicroNanoChina07，January 10, 2007, [SCI]收录。

12.Dianzhong Wen, A new measurement circuit of magneto- transistor formed on a SOI Substrate，电子器件，Vol.29, Number3,609,2006.[EI] 收录。

1. 采用MEMS技术研究硅磁敏三极管模型与制造技术研究.国家自然科学基金项目。

2. 纳米硅/单晶硅异质结的SOI MAG-MOSFET压磁电效应研究.国家自然科学基金项目。

3. 具有热净化功能双模块集成湿度传感器技术研究(2006AA04Z319). 国家“863”计划项目。

4. 微型矢量标量复合水声传感器技术研究(2007AA04Z). 国家“863”计划项目. 副组长。

5. 电力电子器件在新型电源设备中的应用.黑龙江省教育厅振兴东北老工业基地重大项目。

6. 煤矿安全生产信息化关键设备与产品及标准制定.信息产业部电子信息产业发展基金重点项目.（第2承担单位）。

7. 硅各向异性腐蚀技术与设备.获国家科委颁发的国家级科技成果完成者证书。

8. 2DCM硅磁敏二极管.获1978年全国科学大会奖。

9. 列车车辆运行安全监测系统—偏载探测.铁道部项目。

10. C型硅杯各向异性腐蚀技术.黑龙江省经委重点项目。

11. M/Tao/Si/Ti/Pt多层膜结构应变物理特性研究.黑龙江省自然科学基金项目。

12. 神经网络智能化脉诊仪的研究.黑龙江省“九五”科技攻关项目。

13. 2DCM/波纹管高温高压液体流速检测仪研究.黑龙江省教委科研计划指导项目。

14. 智能化油井注入液体流速检测仪.哈尔滨市计划项目。

15. 新型纳米结构忆阻器制造技术研究.黑龙江省2009年研究生创新科研项目。

16.纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器. 黑龙江省科技计划项目。

1. 2DCM硅磁敏二极管 获1978年全国科学大会奖。

2. 硅各向异性腐蚀技术与设备 获1990年黑龙江省科技进步三等奖。

3. 列车车辆运行安全监测系统—偏载探测 获1998年铁道部科技进步三等奖。

4. <Sensitivity analysis of junction field effect-pressure Halltron>获黑龙江省二等奖。

温殿忠. 纳米结构快速开关忆阻器及其制造方法.已授权 2011年。

温殿忠. 蛋白质结构快速开关忆阻器阵列的制作方法.已授权 2010年。

温殿忠 等. 申请国际专利1项，申请国际专利申请号：PCT/CN2010/074806。