张玉明

张玉明，男，西安电子科技大学微电子学院院长，生于1965年5月，陕西白水人，博士（1998），教授（2001）。

全国重点学科微电子学与固体电子学博士导师（2002），中国国民党革命委员会党员（2002），IEEE高级会员，IEEE ED西安分会秘书，中国电子学会高级会员，中国计算物理学会陕西分会理事，《中国物理快报》特约评审。

身兼数职的张玉明，在教学、科研方面从未放低对自己的要求，更未忘记自己“为人师”的义务和责任。在本科教学工作方面，他主要承担了《半导体集成电路》《射频集成电路设计》《VLSICAD技术和VLSI设计方法学》等本科专业主干课程，每年教学工作量300学时以上，共出版教材3部。

《射频集成电路设计》这门课涉及的知识广、难度也比较大。为了让学生学好这门课程，张玉明在上课前会做充分的准备，每节课的教学内容都包含所需知识点的回顾，让学生能更快的接收新的概念及理论，在已有知识基础上进一步扩大学生对专业知识认识的深度和广度。此外，张玉明也能结合具体的实际应用，例如信号发射、接收等，来讲解一些电路分析的重点。^[1]

 1994.9-1998.6 在西安交通大学罗晋生教授处攻读博士学位。研究领域为新型半导体体器件，博士论文题目是“碳化硅材料和器件的研究”。

 1989.8-1992.3 在西安电子科技大学攻读硕士学位。导师为姚立真教授，硕士论文为“微组装的计算机辅助热分析”。同时参加了“半导体器件产生器的研究和开发”、“IC版图的符号布图和压缩”及“温控电路的模拟分析”等项目的研究工作。

 1984.9-1989.7在清华大学读本科，专业为微电子学。在校其间曾在张建人教授课题组从事钥匙链口哨电路、电子表电路的开发，并参加微电子所新线超净间的建设。毕业设计题目是VLSI设计软件Electric分析和应用，指导教师为杨之廉教授。

1992.4—在西安电子科技大学从事教学和科研工作。1994年晋升为讲师，1998年破格晋升为副教授。2001年破格晋升为教授，2002年被评为博士导师。

1999.8-2000.9在美国Rutgers-新泽西洲立大学做博士后，在电子工程系碳化硅实验室主任J.zhao教授的指导下从事下列科研工作：

1. 设计和制作用于电动车辆的先进的碳化硅功率器件

2. 研究掺钒的半绝缘碳化硅的特性

民革第十三届中央委员会委员，陕西省第十四届人民代表大会代表^[2]，陕西省第十四届人民代表大会环境与资源保护委员会委员^[3]，陕西省第十四届人民代表大会常务委员会委员。^[4]

（1）半导体集成电路;

（2）射频集成电路设计

（3）化合物半导体材料和器件

（4）半导体器件模型和模拟

（1）高温高频大功率宽禁带半导体器件和材料（SiC）；

（2）模拟集成电路设计

（3）自旋电子学

（4）半导体器件模型和模拟

（5）半导体器件抗辐照加固技术

项目名称及校内编号 项目来源 起止时间

自旋器件输运机理的研究J60604250144 国家自然科学基金 2005至2007年

注钒（V）制备半绝缘碳化硅层的研究J60403250112 国家自然科学基金 2004年至2006年

SiC高频高温功率器件A50103250091 民口973子项目 2003年至2007年

碳化硅外延材料性能表征方法，A157 04250163 国防973 2004至2008年

碳化硅外延生长机理及关键技术研究，A1 5704250162 国防973 2004至2008年

SiC MESFET器件非线性模型建立，A1 5704250164 国防973 2004年至2008年

碳化硅外延材料技术 中外航天项目 2005年至2007年

碳化硅外延生长关键技术 教育部重大项目 2006年至2008年

1. 深亚微米集成电路P/G网的分析研究

2. 紫外光探测系统研究

3. 电磁流量计系统的研究与开发

4. 4H-SiC MESFET抗辐照效应及加固技术研究，

5. 深亚微米集成电路P/G网辐照特性及其加固的研究

郭登耀,汤晓燕,李林青,张玉明.4H-SiC PiN功率二极管dV/dt可靠性机理研究[J].中国电力,2021,54(12):86-93.白志强,张艺蒙,汤晓燕,宋庆文,张玉明,戴小平,高秀秀,齐放.氮钝化对SiC MOS电容栅介质可靠性的影响[J].西安电子科技大学学报,,:1-7.张玉明,袁昊,汤晓燕,宋庆文,何艳静,李东洵xún,白志强.4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展[J].科技导报,2021,39(14):63-68.张承之,张玉明,李艳,张得昆,张星.基于数字图像的纤维悬浮液分散均匀性表征[J].西安工程大学学报,2020,34(06):1-7.戚军军,吕红亮,张玉明,张义门,张金灿.一种改进的InP HBT小信号模型的直接提取法（英文）[J].红外与毫米波学报,2020,39(03):295-299.武岳,吕红亮,张玉明,张义门.一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现[J].西安电子科技大学学报,2018,45(03):30-34.袁昊,宋庆文,汤晓燕,元磊,张义门,张玉明.1200V 4H-SiC结势垒肖特基二极管温度特性研究[J].大功率变流技术,2016,(05):59-61.王旭,贾仁需,张玉明.Y_2O_3/Si界面电学特性研究[J].中国科技论文,2016,11(05):513-515.张艺蒙,张玉明,张义门.传感器网络应用的低功耗实时计数器[J].西安电子科技大学学报,2015,42(06):66-69+112.[10]刘佳佳,雷天民,张玉明,陈得林,郭辉,张志勇.锰掺杂浓度和位置对石墨烯磁性的影响[J].西安电子科技大学学报,2015,42(04):76-80+106.杨帅,汤晓燕,张玉明,宋庆文,张义门.电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响[J].物理学报,2014,63(20):359-364.雷天民,吴胜宝,张玉明,郭辉,陈德林,张志勇.La,Ce,Nd掺杂对单层MoS_2电子结构的影响[J].物理学报,2014,63(06):245-252.王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,宋建军,周春宇,李妤晨.异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究[J].物理学报,2013,62(21):460-467.钟英辉,王显泰,苏永波,曹玉雄,张玉明,刘新宇,金智.有效跨导为1052mS/mm的高性能InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As HEMTs(英文)[J].红外与毫米波学报,2013,32(03):193-197+288.王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,宋建军,周春宇,李妤晨.应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究[J].物理学报,2013,62(12):430-436.王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,舒斌,周春宇,李妤晨,吕懿.应变Si NMOS积累区电容特性研究[J].物理学报,2013,62(05):377-382.许俊瑞,吕红亮,张义门,张玉明,张金灿,宁旭斌.InP/InGaAs异质结载流子输运特性的仿真[J].微电子学,2012,42(05):733-736.钟英辉,苏永波,金智,王显泰,曹玉雄,姚鸿飞,宁晓曦,张玉明,刘新宇.W波段InGaAs/InP动态二分频器(英文)[J].红外与毫米波学报,2012,31(05):393-398.张发生,张玉明.结终端采用JTE保护技术的4H-SiC PiN二极管模拟和研制(英文)[J].计算物理,2011,28(02):306-312.陈达,张玉明,张义门,王悦湖.Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除[J].电子科技大学学报,2011,40(01):134-137.康亮,吕红亮,张玉明,张义门,许俊瑞.基于流体动力学模型的InP单异质结双极晶体管数值仿真研究[A].中国仪器仪表学会仪表材料分会、重庆仪表材料研究所、中南大学、《功能材料》期刊社.第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第5分册）[C].中国仪器仪表学会仪表材料分会、重庆仪表材料研究所、中南大学、《功能材料》期刊社:中国仪器仪表学会仪表材料分会,2010:399-401.程萍,张玉明,张义门,王悦湖,郭辉.非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性[J].物理学报,2010,59(05):3542-3546.苗瑞霞,张玉明,张义门,汤晓燕.一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法[J].硅酸盐学报,2010,38(02):183-186.张林,张义门,张玉明,韩超,马永吉.Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应[J].物理学报,2009,58(04):2737-2741.张玉明,汤晓燕,张义门.SiC功率器件的研究和展望[J].电力电子技术,2008,42(12):60-62.马格林,张玉明,张义门,马仲发.SiC外延层表面化学态的研究[J].物理学报,2008,(07):4119-4124.马格林,张玉明,张义门,马仲发.SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究[J].物理学报,2008,(07):4125-4129.贾仁需,张义门,张玉明,郭辉,栾苏珍.4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系[J].物理学报,2008,(07):4456-4458.王超,张义门,张玉明,谢昭熙,郭辉,徐大庆.钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文)[J].电子器件,2008,(03):770-775.吕红亮,张义门,张玉明,车勇,王悦湖,陈亮.4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法[J].物理学报,2008,(05):2871-2874.郭辉,张义门,张玉明,吕红亮.Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究[J].固体电子学研究与进展,2008,(01):42-45.邵科,曹全军,张义门,张玉明,孙明.基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析[J].微电子学,2007,(06):830-832+841.苏浩航,张义门,张玉明,满进财.基于压缩式双共轭梯度算法对大规模电源/地线网络的快速分析[J].计算机辅助设计与图形学学报,2007,(10):1259-1262.[34]郭辉,张义门,张玉明.利用SiC：Ge形成SiC欧姆接触中间层[A].兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所.第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C].兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所:中国物理学会,2007:37-38.王悦湖,张玉明,张义门,贾仁需,张书霞.4H-SiC同质外延膜的研究[A].兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所.第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C].兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所:中国物理学会,2007:39.纪洪芝,张玉明,黄晁.H.264/AVC解码中帧内预测的硬件实现[J].微电子学与计算机,2007,(07):173-175+179.郭辉,张义门,张玉明,张健,郜gào锦侠.N型SiC的Ni基欧姆接触研究(英文)[J].电子器件,2007,(02):356-360+364.郭辉,张义门,张玉明.n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明(英文)[J].半导体学报,2007,(01):5-9.郜锦侠,张义门,汤晓燕,张玉明.C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度[J].物理学报,2006,(06):2992-2996.^[5]

1. ECR可刻蚀及碳化硅高温半导体器件技术，陕西省科学技术进步二等奖,(2003-5)

2. ECR可刻蚀及碳化硅高温半导体器件技术，西安市科学技术进步一等奖,(2002-5)

3. 碳化硅高温半导体器件技术，陕西高等学校科学技术二等奖（020715-4）

4. 碳化硅器件及其相关技术的研究, 陕西省信息产业厅科技成果一等奖, (010216)

5. 碳化硅器件的研究, 西安电子科技大学科技成果一等奖(2001)

6. HEMT计算机模拟研究, 电子工业部科技进步奖三等奖(970874)

7. HEMT计算机模拟研究，西电科大科研成果二等奖(XD97029)

8. 模拟软件在三维半导体器件模拟的应用研究, 电子工业部科技进步奖三等奖(940113)

9. 三维半导体器件模拟软件实用化研究, 西电科大科研成果二等奖(XD9-1994)

10. Analytical model of Kink effect related to interface trap, 西电科大优秀论文二等奖(98030)

1. 获第四届“陕西青年科技奖”陕科协发[2003]组字第15号（2003.8.8）

2. 西安电子科技大学十大杰出青年称号（2003.5）

3. 中建 理论教学三等奖（2002）

4. 获陕西省优秀留学回国人员称号（2001）

5. 2000－2001年度校级优秀教师

6. 获西安电子科技大学首届学术带头人（2000－2002）

7. 1996－1997年校级先进工作者

8. 1996年校第三届青年教师讲课竞赛优秀奖

9. 1994－1995年系级优秀教育工作者