刘明

刘明，女，1964年4月出生于江西丰城，微电子科学与技术专家，中国科学院院士、发展中国家科学院院士，中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师  ，微电子器件与集成技术重点实验室主任，中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长。^[1]

刘明长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统性和创造性的工作。她的代表性成果包括建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法。^[2]她发表的论文被SCI收录250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。在本领域重要国际会议做邀请报告30多次，授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。^[3]

刘明先后获得国家技术发明二等奖3项、国家科技进步二等奖1项、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖、北京市科学技术一等奖2项、北京市科学技术二等奖2项、中国真空科技成就奖、中国科学院杰出科技成就奖；2004年，获得国务院政府津贴。^[3]

1964年4月，刘明出生于江西丰城市，籍贯安徽宿州。

时间院校学位1985年刘明从合肥工业大学学士1988年合肥工业大学硕士1998年北京航空航天大学博士

2000年被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任。

2008年刘明获得国家杰出青年科学基金资助。^[4]

2015年7月31日入选中国科学院院士增选初步候选人名单，12月7日当选中国科学院院士。

2018年1月25日出任中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长，同年当选发展中国家科学院院士。

2022年8月11日晚间，中芯国际在港交所公告，委任刘明院士担任董事会审计委员会成员。^[5]

阐明了阻变存储器机理，建立了相应的物理模型；提出了功能层掺杂和局域电场增强的阻变存储器性能调控方法，提高存储器整体性能；拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理；发展了集成电路的微纳加工技术并拓展到禁运的短波衍射元件研制中。

在国际上首次采用软X射线曝光技术实现了256位分子存储器；在32nm技术节点以下的非挥发性存储器替代方案上，提出了利用金属掺杂的技术手段来提高阻变存储器（RRAM）性能和成品率的方法，成为国际上最早提出此概念的两个小组之一，在渐进型的非挥发性存储器替代方案上，着眼于纳米晶浮栅存储结构（Nano-FloatingGate）。

截至2017年7月发表SCI收录论文250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。

出版日期名称作者出版社2013.12《纳米半导体器件与技术》（加）KRZYSZTOFINIEWSKI编；刘明，吕杭炳译北京：国防工业出版社2014.08《新型阻变存储技术》刘明著北京：科学出版社

•学术交流

截至2017年7月在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。

时间报告题目2017-11-14AdvancedSemiconductors-OpportunitiesforMainlandandHongKongCollaboration2017-09-22ResistiveRandomAccessMemoryand3DIntegration2017-08-20HighPerformanceSelectorand3DIntegration2017-04-03Reliabilityissuesonoxide-electrolyte-basedRRAM2016-10-10Highperformanceselectorand3Dintegration(Invited)2016-06-073DVerticalIntegrationofResistiveSwitchingMemory(Invited)2016-04-06CharacteristicsandMechanismofMultimodeResistiveSwitchingBehaviorsintheOxide-electrolyte-basedRRAM(Invited)2016-03-29ImprovementofRRAMperformancesbyinsertinggraphenelayer2015-10-12ReliabilityIssuesofOxideElectrolyteBasedCBRAM2015-10-11Impactoffilamentevolutiononreliabilityissuesofoxideelectrolytebasedconductivebridgerandomaccessmemory2015-09-03Characteristicsandmechanismofmultimoderesistiveswitchingbehaviorsintheoxide-electrolyte-basedRRAM2015-06-28ReliabilityIssuesofOxide-Electrolyte-BasedConductiveBridgeRandomAccessMemory2015-06-01AProbeofReliabilityIssuesofOxideElectrolyteBasedCBRAM2015-05-17FutureofMemory:Application-drivenorTechnology-driven,whichwilldominateintheneweraofcomputing2015-05-04ResistiveSwitchingCharacteristicsandMechanismofOxide-Electrolyte-BasedRRAM 

截至2015年12月先后主持参与了多项国家973、863项目。

项目时间项目名称备注2006-01--2011-12分子电子学的基础研究主持，国家级2008-01--2010-12纳米晶浮栅存储器存储材料及关键技术主持，国家级2009-01--2011-1232nm新型存储器关键工艺解决方案主持，国家级2009-01--2012-12纳米加工与新型半导体器件研究主持，国家级2010-01--2014-08纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究主持，国家级2013-01--2015-12新型微电子器件集成的基础研究主持，国家级2014-01--2018-12超高密度存储器三维集成关键技术研究主持，国家级2014-07--2019-06有机射频电子标签的设计与制备主持，部委级2015-01--2017-12科技北京百名领军人才主持，省级2016-01--2018-12新型微电子器件集成的基础研究主持，国家级2016-08--2021-07三维阻变存储器基础研究主持，部委级2017-01--2018-12阻变存储器材料与器件研究主持，省级2017-07--2018-06基于高品质异质结构的信息电子光电器件主持，部委级 

截至2017年7月，刘明先后获得国家技术发明二等奖3项、国家科技进步二等奖1项、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖、北京市科学技术一等奖2项、北京市科学技术二等奖2项和中国科学院杰出成就奖等奖项。

时间获奖全称具体奖项获奖作品2017年何梁何利基金科学与技术进步奖（电子信息技术奖）一等奖^[6]-2016年国家自然科学奖科学奖（排名第一） 氧化物阻变存储器机理与性能调控2015年中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖（排名第一）阻变存储器机理与性能调控2014年中国科学院杰出成就奖成就奖（排名第8）极大规模集成电路关键技术研究集体2013年国家技术发明二等奖二等奖（排名第一）高精度微纳结构掩模制造核心技术2010年北京市科学技术一等奖一等奖（排名第1）微纳结构‘自上而下’制备核心技术与集成应用2009年国家科技进步二等奖二等奖移动通讯用滤波器关键技术及产业化2007年国家技术发明奖二等奖（排名第二）中高频声表面波关键材料及技术研究2006年省级一等奖一等奖中高频声表面波关键材料与器件研究2005年国家技术发明奖二等奖（排名第四）亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究2005年中国科协期刊第一届优秀论文奖优秀论文奖HighPerformance70nmCMOSDevices2003年北京市科学技术奖一等奖（排名第10）27nmCMOS器件2002年北京市科学技术奖二等奖（排名第3）0.18um的集成电路工艺技术

教育思想

刘明提出：导师应首先做到让学生尊重信赖的人，并建议年轻导师保持乐观的生活和工作态度，学高为师，身正为范。

教学成果奖励

时间奖励名称2011年度中国科学院“优秀研究生指导教师”2011年度中国科学院“朱李月华优秀教师” 

时间荣誉/表彰2012年中国真空学会“中国真空科技成就奖（莱宝奖）”2015年12月7日中国科学院院士（信息技术科学部）2017年3月8日中国科学院第五届“十大杰出妇女”荣誉称号 2017年何梁何利基金科学与技术进步奖（电子信息技术奖）2018年11月28日发展中国家科学院院士

时间担任职务2017年11月—IEEE,Fellow2016年01月—《theEDSNewsletter》RegionalEditor2016年01月—IEEEEDSBeijingChapter主席2015年01月—国家重点研发计划纳米科技重点专项专家组成员2014年01月—中国真空学会理事2013年01月—《中国科学》编委2011年01月—IEEEElectronDevicesSociety,DistinguishedLecturer2011年01月—《AppliedPhysicsA》编辑2010年12月—无锡华润微电子有限公司掩模工厂技术顾问2008年06月—中国科学院科学出版社基金2008年04-月—“纳米科学技术大系”编委会2007年01月—中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室学术委员会2006年09月—中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会，第一届理事会名誉理事长2002年11月—中国材料研究学会青年委员会 -中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室学术委员会委员

刘明长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。她建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法，产生重要国际影响。（中国科学技术大学国家示范性微电子学院评）

2008年，刘明获得国家杰出青年科学基金资助。