陈万军

陈万军：男，博士，电子科技大学教授教授，博士生导师。2007年获电子科技大学博士学位，2007-2010年在香港科技大学进行博士后研究，2013年聘为博士生导师，2014破格晋升为教授。入选四川省学术和技术带头人后备人选，四川省电子学会半导体与集成技术专委会秘书长，中国电子学会高级会员，入选“校百人计划”，获“学术新人奖”、“唐立新教育基金（优秀科研）”。

长期致力于硅基功率半导体技术、宽禁带氮化镓（GaN）功率器件与集成技术等领域的科研、教学与人才培养工作，特别在硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率集成技术与器件模型/机理等方面开展了在国际上具有相当影响的独创性研究，研究成果被国际著名期刊《Compound Semiconductor》和《Semiconductor Today》等综述报道。以第1负责人主持国家科技重大专项等国家重大/重点项目3项、国家自然科学基金3项、其他省部级项目8项；在Appl. Phys. Lett.、IEEE Elec. Devi. Lett.、IEEE Trans. on Elec. Devi.、Semicon. Sci & Tech.、Solid-State Elect.等国际权威期刊和IEDM、ISPSD等著名国际会议发表论文60 余篇，其中SCI 检索30余篇，EI检索60余篇，被引次数超过200次；参加国际/国内会议15次，特邀报告2 次，分会主席1次；获授权美国专利1 项，申请中国发明专利10项。担任国际权威期刊IEEE Tran. Power Electronics、IEEE Elec. Devi. Lett.、IEEE Trans. on Elec. Devi.等国际期刊的审稿人，被IEEE Trans. on Elec. Devi.评为年度金牌审稿人（Golden Reviewers）。

主要从事于硅基功率半导体技术、宽禁带氮化镓（GaN）功率器件与集成技术等领域研究，与杭州士兰微、中航微电子、中科院、中国工程物理研究院、中电集团、北京大学、复旦大学、西安电子科技大学、Hong Kong University of Science and Technology（HKUST）、University of Toronto等国内、外研究机构建立了长期、紧密的合作关系。所培养的研究生多就职于国内外知名企业和研究机构，或在国内外知名高校进一步研修。

欢迎有志于硅基功率半导体技术、宽禁带GaN器件与集成技术领域的学生报考硕士/博士研究生。

研究内容1：功率半导体器件

（1）IGBT、VDMOS、功率整流器等硅基功率半导体器件

（2）高脉冲功率半导体器件

研究内容2：宽禁带功率半导体

（1）GaN基功率半导体器件

（2）高频GaN基电子器件

研究内容3：功率集成电路

（1）基于GaN功率器件的混合功率集成电路

（2）全集成GaN基功率集成电路