程金光,1982年出生,现任中国科学院物理研究所副所长、强关联电子体系的高压研究员及博士生导师。研究方向为高压极端条件下的新材料和奇异物理现象。
人物经历
程金光于1999年至2003年在哈尔滨工业大学物理系获得理学学士学位,随后在2003年至2006年继续在该校攻读并获得硕士学位。2010年,他在美国德克萨斯大学奥斯汀分校获得博士学位,并在该校继续进行了两年的博士后研究。2012年,程金光加入中国科学院物理研究所,开始了他的科研生涯。在2012年至2014年间,他还曾在日本东京大学物性研究所担任JSPS博士后。
2022年4月1日,程金光同志试用期考核合格,正式被任命为中国科学院物理研究所副所长,任职时间自2021年3月起计算。
主要成就
1. 搭建了国内第一台基于六面砧压腔的高压低温综合物性测量装置,开展多重极端条件下的物态调控和机理研究;首次在CrAs和MnP中发现了高压诱导的超导电性,相继实现了第一个Cr基和Mn基化合物超导体零的突破;系统研究了FeSe基超导体的高压效应,揭示了FeSe中复杂电子序与超导的竞争关系,在重电子掺杂FeSe材料中发现高压诱导的超导II相和反常的正常态行为。
2. 利用二级推进多面砧压机,在高压高温条件下首次合成了多个具有新颖晶体结构和奇异物理性质的材料体系,包括自旋S=1的量子自旋液体候选材料Ba3NiSb2O9、d电子重费米材料CaCu3Ir4O12和具有强自旋-轨道耦合的Slater绝缘体SrIr1-xSnxO3。
至今已在包括Nature Communications、PRL、JACS和PNAS在内的学术期刊上合作发表论文190余篇,在重要国际和国内会议做邀请报告20余次。
荣誉奖项
程金光曾荣获2015年度中科院卢嘉锡青年人才奖和2016年马丁伍德爵士中国物理科学奖。2020年,他获得国家杰出青年科学基金资助,并在同年8月入选2020年度国家杰出青年科学基金建议资助项目申请人名单。