氮化钽

氮化钽tǎn（Tantalum mononitride）是一种化工材料，分子式为TaN，分子量为194.95。用来制造精确片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。在制造集成电路的过程中，这些膜沉积在硅晶片的顶部，以形成薄膜表面贴装电阻。

ε氮化钽为黑色六方结晶。相对密度为13.4，熔点为3090℃，显微硬度为1100kg/mm²，热导率为9.54W/(m·K)，电阻率为128μΩ·cm。

δ氮化钽为黄绿色结晶，属氯化钠型结晶，相对密度为15.6。晶格常数为a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔点为2950℃，显微硬度为3200kg/mm，转化点温度为17.8K。

不溶于水、酸，微溶于王水，溶于氢氧化钾并分解释放出氨，加热至2000℃即释放出氮气。

1、通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。

2、常温常压下稳定避免的物料 氧化物。

3、常温密闭，阴凉通风干燥处。

1、将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得；

2、以金属钽和氮气为原料制备氮化钽，反应式如下：2Ta+N2=2TaN。

1、用来制造精确片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。

2、用作超硬质材料添加剂，可制备纯的五氯化钽：用于喷涂，增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。

主要的刺激性影响：

在皮肤上面：可能引起发炎

在眼睛上面：可能引起发炎

致敏作用：没有已知的敏化现象

通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。

1、疏水参数计算参考值（XlogP）：无

2、氢键供体数量：0

3、氢键受体数量：1

4、可旋转化学键数量：0

5、互变异构体数量：无

6、拓扑分子极性表面积：23.8

7、重原子数量：2

8、表面电荷：0

9、复杂度：10

10、同位素原子数量：0

11、确定原子立构中心数量：0

12、不确定原子立构中心数量：0

13、确定化学键立构中心数量：0

14、不确定化学键立构中心数量：0

15、共价键单元数量：1