方允樟

方允樟是浙江师范大学数理与信息工程学院的教授级高级工程师，同时也是LED研发中心的副主任。他的主要研究领域包括新型软磁非晶合材料以及半导体光电子材料与器件的制备、表征和性能研究。

材料科学基础、磁性物理学、真空与低温技术、近代物理实验

1. 外包线圈的玻璃包裹Fe基纳米晶细丝GMI特性研究(主持), 省自然基金，2003，已结题。

2．Fe基纳米晶磁敏传感器探头微型化研究（主持），教育部，2004，已结题。

3. 新型软磁非晶合金细丝制备技术及装置的研究（主持），省科技厅，2006，已结题。

4.高灵敏响应近零微弱外磁场的磁敏新材料及机理研究（主持），国家自然基金，2008，研究中。

5.对近零弱磁场敏感的新型巨磁阻抗效应研究（主持），省自然基金，2009，研究中。

6.应力高效感生磁各向异性机理的同步辐射研究，（2/8）, 国家自然基金，2010研究中。

1. A mesostructural origin of stress-induced magnetic anisotropy in Fe-based nanocrystalline ribbons ，Applied Physics Letters，2010.3，第一；

2. Fe基纳米晶晶化机理的AFM研究，中国科学E辑，2007.9，第一；

3．Fe基合金应力退火感生磁各向异性机理的AFM研究，中国科学E辑，2008.3，第一；

4. FeCo基合金的一种新型纵向驱动巨磁阻抗效应，科学通报，2007.12，通讯作者；

5. 应力退火Fe基纳米晶薄带横向各向异性场的介观结构研究，物理学报，2007.7，通讯作者；

6. Fe基合金纳米晶薄带介观结构的AFM研究，科学通报，2004.9，第一.

1． Fe基纳米晶磁敏传感器的研究，浙江省人民政府，三等奖，2007．3，第一。

2. 玻璃包裹金属细丝的引丝方法及其拉丝装置，授权发明专利，2005.7，第一。

3.非晶外表层的纳米晶材料制备方法，授权发明专利，2010.11，第一。