抑制性突触后电位

抑制性突触后电位（inhibitorypost-synaptic potential），是细胞体的突触后膜出现的超极化现象，即膜内、外电位差值增大，超过静息时膜电位的数值。^[1]

IPSP是突触后膜的超极化电位，使膜电位远离兴奋电位水平。IPSP与EPSP相反，其峰值和持续时间与EPSP相似。IPSP属于局部电位，具有局部电位的一般特征。它是一种超极化电位，由外向电流引起。通过测量IPSP的平衡电位，可以确定IPSP形成的离子基础。使用电流钳法测量膜电位和IPSP的反转电位。被测神经元的静息电位为-74mV，反转电位为-82mV。该电位与和相近，表明IPSP的形成可能与内流或外流导致的外。^[2]

（1）突触前膜释放递质是Cl-内流引发的；

（2）递质是以囊泡的形式以出胞作用的方式释放出来的；

（3）IPSP是局部电位，而不是动作电位；

（4）IPSP是突触后膜离子通透性变化所致，与突触前膜无关。

突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使盾膜上的配体门控CI通道开放，引起CI内流，突触后膜发生超极化。此外，IPSP的形成还可能与突触后膜K通道的开放或Na、Ca通道的关闭有关。