刘玉岭

刘玉岭（1942年2月-），男，汉族，中华人民共和国政治人物，博士生导师。1966年毕业于南开大学化学系，现任河北工业大学微电子技术与材料研究所所长。他是中国民主促进会的成员，并在2008年当选为第十一届全国政协委员，代表科学技术界，分入第二十九组。

刘玉岭的主要研究方向为微电子技术与材料，包括器件制备工艺、衬底表面状态、硅外延生长机理与控制技术、应力分布与控制技术、表面完美性与高平坦技术（CMP）、表面洁净技术、半导体器件计算机模拟等。

刘玉岭在其研究领域取得了显著成就，曾获国家发明奖五项，省部级奖十九项，国家发明专利四项。他发表的学术论文超过140篇，其中16篇被三大索引收录，且著有三部专著。他在半导体分立器件、VLSI、电子基础材料的制备、加工、检测、硅外延生、性能与结构优化、器件与材料关系等工程科技领域承担了多项重大攻关项目。他的研究成果被有关科研与生产单位工业规模应用，已编计出的经济效益达六千多万元。

标题作者来源时间工艺参数对阻挡层CMP后互连线厚度一致性的影响王海英;王辰伟;刘玉岭《电子元件与材料》2023年11期铜互连阻挡层化学机械抛光时互连线厚度的控制王海英;王辰伟;刘玉岭《电镀与涂饰》2023年15期抛光时间对多层铜布线阻挡层CMP效果的影响刘光耀;王辰伟;周建伟《微纳电子技术》2023年2期工艺参数对GLSI铜互连阻挡层CMP抛光效果的影响刘光耀;王辰伟;刘玉岭《电镀与涂饰》2023年1期不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响魏艺璇;王辰伟;刘玉岭等《电子元件与材料》2022年10期一种能有效减少大颗粒的抛光液供给装置刘国瑞;牛新环;刘玉岭河北工业大学;天津城建大学2022-08-19用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法王辰伟;刘玉岭;罗翀;王胜利;孙鸣;高宝红河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司2022-04-08超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究崔志慧;王辰伟;刘玉岭《电子元件与材料》2022年4期USE OF GLSI POLYLAMINATE WIRING HIGH-VALENCE METAL IN CMP刘玉岭;王辰伟;罗翀河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司2022-02-03GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用刘玉岭;王辰伟;罗翀河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司2021-09-28AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响宋国强;檀柏梅;刘玉岭《应用化工》2021年9期柠檬酸钾对铜、钴和TEOS去除速率及选择性的影响刘佳;潘国峰;刘玉岭《应用化工》2021年9期用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法罗翀;王辰伟;徐奕;宋国强;刘玉岭;檀柏梅河北工业大学2021-08-06参考资料：^[1]