中国物理

《中国物理》原名为《中国物理B》。《中国物理B》前刊称为《中国物理》（英））刊登物理学科各领域中原创新成果的英文研究快讯、研究论文及前沿研究综述。文章内容与《物理学报》不重复，强调原创性、快速性。该刊被国际权威检索系统SCI等11种核心数据库收录。^[1]

《中国物理》又名《中国物理B》。《中国物理B》（英）（前刊名《中国物理》（英））刊登物理学科各领域中原创新成果的英文研究快讯、研究论文及前沿研究综述。文章内容与<物理学报>不重复，强调原创性、快速性。该刊被国际权威检索系统SCI等11种核心数据库收录。2007年在SCI数据库中，影响因子为2.103，已连续6年居中国物理类期刊第1位，并连续7年达到国际物理类期刊的中上水平。2001年获中国期刊方阵“双效”（社会效益，经济效益好）期刊。2001年编辑部与英国物理学会（IOP）合作出网络版和印刷版，2005年编辑部又自出网络版后，发行量和网刊点击率大幅度增加。曾多次获百种中国杰出学术期刊奖。“ChinesePhysicsB”国内由本刊编辑部发行，国外印刷版和网络版均由英国物理学会出版集团（IOPP）承包发行。国内订户均不得以任何方式将本刊寄往国外，以免损害国外发行商的权益。敬请各位订户见谅。欢迎各省、市、县图书情报界、科技教育界、高科技企业界及广大物理学工作者订阅。

Chin. Phys. B--2015, Vol.24, No.6

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Select|Export to EndNoteTOPICAL REVIEW --- III-nitride optoelectronic materials and devices

Progress in bulk GaN growthXu Ke, Wang Jian-Feng, Ren Guo-Qiang Chin. Phys. B, 2015, 24 (6): 066105doi:10.1088/1674-1056/24/6/066105　　Full Text:[PDF938KB] (89)RICH HTML+Show Abstract

Design of patterned sapphire substrates for GaN-based light-emitting diodesWang Hai-Yan, Lin Zhi-Ting, Han Jing-Lei, Zhong Li-Yi, Li Guo-Qiang Chin. Phys. B, 2015, 24 (6): 067103doi:10.1088/1674-1056/24/6/067103　　Full Text:[PDF4312KB] (38)RICH HTML+Show Abstract

Metal-organic-vapor phase epitaxy of InGaN quantum dots and their applications in light-emitting diodesWang Lai, Yang Di, Hao Zhi-Biao, Luo Yi Chin. Phys. B, 2015, 24 (6): 067303doi:10.1088/1674-1056/24/6/067303　　Full Text:[PDF1149KB] (40)RICH HTML+Show Abstract

Progress in research of GaN-based LEDs fabricated on SiC substrateXu Hua-Yong, Chen Xiu-Fang, Peng Yan, Xu Ming-Sheng, Shen Yan, Hu Xiao-Bo, Xu Xian-Gang Chin. Phys. B, 2015, 24 (6): 067305doi:10.1088/1674-1056/24/6/067305　　Full Text:[PDF2886KB] (45)RICH HTML+Show Abstract

中国物理学会和中国科学院物理研究所主办的"最年轻"的物理类综合性英文学术期刊，月刊。