丁守谦

丁守谦（1930年－2026年9月5日），男，出生于湖南攸县，九三学社社员，生前是南开大学电子信息与光学工程学院教授，中国第一颗直拉硅单晶的主要研制者之一。^[1][2]

1953年，丁守谦从北京大学物理系本科毕业；1956年，北京大学物理系硕士研究生毕业。此后，他先后任职于南开大学物理系、天津703厂；1959年9月15日，拉制出中国第一颗硅单晶；1973年，调回南开大学电子科学系任教；1985年，作为访问学者赴西德图屏根大学开展合作研究。^[1][2]

丁守谦长期深耕半导体与显示技术领域，创建“非近轴光学”理论，累计发表论文80余篇、出版多部专著，为中国半导体事业、集成电路产业、信息显示行业、通信技术发展作出突出贡献，被业内称为中国偏转线圈的“开山鼻祖”“TD三剑客”之一。1989年，他获得国家发明二等奖。^[2]

2026年9月5日，丁守谦在天津逝世，享年97岁。^[1]

1930年，丁守谦在湖南攸县出生。1953年，他从北京大学物理系本科毕业；1956年，又从该系研究生毕业，后被分配到南开大学物理系任助教；1958年，调任天津703厂（现中电科46所）技术员。同年，他领导提拉硅单晶及测试，并于1959年9月15日，拉制出中国第一颗硅单晶，敲开中国通往信息时代的大门。^[1][2]

1973年，丁守谦调回南开大学电子科学系任讲师；1985年，作为访问学者，在西德图屏根大学应用物理研究所与著名电子光学专家弗·棱茨（F·Lenz）教授进行合作研究。1986年，他晋升为教授；1989年，获国家发明二等奖。^[1][2]

2026年9月5日，丁守谦在天津逝世，享年97岁。^[1]

丁守谦为九三学社社员，南开大学电子信息与光学工程学院教授、南开大学电子科学系教授，担任美国SID学会理事、中国电子学会会士，同时兼任多个学术杂志编委和专业学会、联盟顾问或专家委员。20世纪90年代，他担任国际信息显示学会（SID）北京分会第一、二届理事长。^[2]

1959年9月15日，丁守谦拉制出中国第一颗硅单晶，该成果满足了当时国家对信息硅材料的重大战略需求，缩短了中国与欧美的相关技术差距，为中国半导体事业、集成电路产业及太阳能光伏发电技术发展奠定了材料基础。^[2]

丁守谦长期深耕半导体与显示技术领域，创建“非近轴光学”理论，对高斯近轴光学进行拓展，攻克多项科研难题，累计发表论文80余篇，出版多部专著。丁守谦为中国偏转线圈技术发展作出突出贡献，被业内称为中国偏转线圈的“开山鼻祖”。他推动创办国际信息显示学会（SID）北京分会，为中国信息显示行业的对外交流发展作出重要贡献。21世纪初，他为中国3G制式的推广落地提供支撑，为中国通信技术领域实现3G追赶、4G同步发展、5G技术领先起到重要作用，被称为“TD三剑客”之一。^[1][2]

1989年起，丁守谦受国家有关方面委托，面向中国产业界举办多届企业领导培训班。^[2]